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879×BH的EPROM编程微机消谐
发布人：管理员 发布时间：2014-2-20
879×BH芯片包含8K字节的内部EPROM，当EA为TTL高电平时，该EPROM所影射的存储器单元地址为2000H-3FFFH。微机消谐当EA+12.5V电压时，将把879×BH置于EPROM编程方式，这种方式提供了一些专门的硬件功能，用于支持EPROM的编程和检验。
879×BH的编程方法比较灵活，共有3种变成方式：自动编程方式、从机变成方式和运行编程方式，使879×BH可以单独编程或成组编程，也可以边运行边编程。
自动编程方式允许一片879×BH对其自身和多达15片其他的879×BH进行编程，8K字节的代码应取自外部存储器的4000H-5FFFH单元。从片编程方式提供了一种标准的接口，把要编程的879×BH与主编程装置连接起来，这时呗编程的879×BH的数量不受限制。运行编程方式允许在运行的环境下****靠软件控制对个别的EPROM单元进行编程。运行编程方式要求EA接TTL高电平而不是接125V。
879×BH的编程方法比较灵活，共有3种变成方式：自动编程方式、从机变成方式和运行编程方式，使879×BH可以单独编程或成组编程，也可以边运行边编程。
自动编程方式允许一片879×BH对其自身和多达15片其他的879×BH进行编程，8K字节的代码应取自外部存储器的4000H-5FFFH单元。从片编程方式提供了一种标准的接口，把要编程的879×BH与主编程装置连接起来，这时呗编程的879×BH的数量不受限制。运行编程方式允许在运行的环境下****靠软件控制对个别的EPROM单元进行编程。运行编程方式要求EA接TTL高电平而不是接125V。
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