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新闻动态
微机消谐内部单片机
发布人:管理员   发布时间:2014-1-13

         微机消谐装置的内部总线控制线与外部存储器时序
         开始从外部存储器取指时,地址锁存允许线ALE变高,CPU把地址送上总线AD0-AD15,BHE设置到所需要得状态。
ALE下降时,地址被锁存起来,随之RD信号变低。这是,若READ脚为低,就迫使CPU保持上述状态,以适应慢速存储器的时序要求。READY信号还可以用于DMA传输。每当A相时钟有效时,也即产生CLKOUT信号时,在内部对READY脚的信号采样,在CLKOUT变低前某一时刻,READY就应达到稳定状态,其间应有一个最小时间要求,若不能满足这个要求,当芯片进入未就续状态时,并不能按预期的那样工作。
        由于READY信号和CLKOUT同步,8096进入未就绪状态的周期将是CLKOUT信号周期的某个倍数。 来自外部存储器的数据必须在离RD上升沿某一最小的规定时间之前出线并稳定在总线上。RD上升沿把信息读
入9086.如果读的是数据,当地址有效时,INST脚将变低;如果读的是指令,则地址有效时,INST脚将变高。
        微机消谐,写外部存储器的时序类似于读的时许。主要区别在于WR信号替代了RD信号。此外,在WR信号的下降沿,8096
从总线上移走了地址,而代之以数据,这时READY信号应保持在所期望的状态上。WR线变高时,数据应锁存到外部存储器内。指令时不能写的,故在写周期内,INST总是保持低。

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