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微机消谐程序中P1口的操作
发布人：管理员 发布时间：2014-2-24
P1口的这种具有内部上拉作用的输出缓冲结构使他被称之为准双向口。从使用的角度讲，“准”双向口在下列3点上有别于“真”双向口：
一、输出有锁存作用，输入无锁存作用；
二、在把它作为输入口之前，必先对口写1，微机消谐使低阻下拉FET截止，以免引脚的电位被它箝在低电平上；
三、当作为输入口用时，若口被外部器件拉低，将有一个源电流流入外部器件；断开外部器件时，可以靠其内部上拉作用而保持高电平。
当作输入口用时，耗尽型上拉FET产生约100uA的漏电流，这对TTL或CMOS芯片是很理想的，甚至可以直接按接开关。
准双向口作输入口而直接接开关时，加上一个1kQ串联电阻更好些，因为若这时从内部写口使低阻上拉FET短时接通，而开关又是闭合的，则将有约20mA甚至更大的电流从电源经低阻上拉FET流到地。当8个引脚都通过开关接地时，总共产生160mA的电流，芯片瞬时功耗将增加一倍，在某些应用场合会产生噪声。
一、输出有锁存作用，输入无锁存作用；
二、在把它作为输入口之前，必先对口写1，微机消谐使低阻下拉FET截止，以免引脚的电位被它箝在低电平上；
三、当作为输入口用时，若口被外部器件拉低，将有一个源电流流入外部器件；断开外部器件时，可以靠其内部上拉作用而保持高电平。
当作输入口用时，耗尽型上拉FET产生约100uA的漏电流，这对TTL或CMOS芯片是很理想的，甚至可以直接按接开关。
准双向口作输入口而直接接开关时，加上一个1kQ串联电阻更好些，因为若这时从内部写口使低阻上拉FET短时接通，而开关又是闭合的，则将有约20mA甚至更大的电流从电源经低阻上拉FET流到地。当8个引脚都通过开关接地时，总共产生160mA的电流，芯片瞬时功耗将增加一倍，在某些应用场合会产生噪声。
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