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P1口在微机消谐中的操作
发布人：管理员 发布时间：2014-2-25
P1口是一个准双向I/O口。它由输入缓冲器内部口寄存器和输出缓冲器构成。微机消谐准双向后缓冲器结构，其输出缓冲器的构造与8051准双向口的相同，内部具有上拉电阻结构。上拉作用由两个FET管产生，其中源栅相连的n沟道耗尽型FET总是起作用的。它是高祖的，产生较弱的上拉效果。栅极受控的n沟道增强型FET是低阻的，当端口上的数据要从0变到1时，它在短暂的时间内，产生很强的上拉作用，以加速这一转变过程。当输出端由1变0时，低阻下拉管很快截止，或非门的2个输入端暂时都为0，使低阻上拉FET导通，产生强烈的上拉作用。经过1个状态周期的延迟后，或门输出0，低阻上拉FET将截止，其上拉作用随之消失。
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